SiN薄膜纳米孔芯片制造工艺实验研究

摘要：

针对第3代基因测序的需求，提出一种大规模的氮化硅薄膜纳米孔芯片制造技术．通过测量不同膜厚氮化硅薄膜的应力，选择适用于纳米孔制造的最佳厚度为100 nm．采用低压化学气相沉积、反应离子刻蚀和释放工艺制备出高成品率的氮化硅纳米薄膜芯片．在此基础上，使用聚焦离子束和高能电子束实现氮化硅薄膜纳米孔的制造．研究聚焦离子束刻蚀时间、电流与纳米孔直径的关系．实验结果表明，采用聚焦离子束将氮化硅薄膜的厚度减薄至40 nm以下时，制作纳米孔的效果更好．采用聚焦离子束制造的氮化硅薄膜纳米孔最小直径为26 nm，而采用电子束制备的最小直径可达3.5 nm．该方法为基于固体纳米孔的DNA测序检测提供了有力的支撑．

关键词：氮化硅、纳米孔、聚焦离子束、电子束

所属期刊栏目：46

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51435003，51375092，51302037．

在线出版日期：2016-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：977-981