功率VDMOS器件的新型SPICE模型

摘要：

为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.

关键词：VDMOS、SPICE模型、内部节点、准饱和效应

所属期刊栏目：43

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：航空科学基金资助项目20122469;新世纪优秀人才支持计划资助项目NCET-10-0331;江苏省自然科学基金资助项目BK2012559

在线出版日期：2013-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：478-482