基于数值模拟的非对称荫罩式PDP结构参数的优化

摘要：

为了研究荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的放电效率,采用流体模型,建立了二维非对称SMPDP单元的放电模型,给出了放电效率的计算方法.利用该放电模型,研究了具有长放电路径的非对称SMPDP的放电过程,讨论了扫描电极和放电单元后开口等结构参数对非对称SMPDP放电效率的影响.数值模拟的研究结果表明:随着扫描电极向后开口方向延伸长度的增加,非对称SMPDP放电效率先增加后减小,即扫描电极的延伸长度存在最优值;扫描电极与后开口的距离的不同,扫描电极结构不同的非对称SMPDP其放电效率的变化趋势也不同;随着荫罩后开口长度的增加,非对称SMPDP的放电效率呈现先增加后减小的趋势,当荫罩后开口长度为有效后开口长度的60%时,非对称SMPDP的放电效率提高10%.将扫描电极向后开口方向适当延伸,并合理选择后开口的长度、扫描电极与后开口间的距离,可以有效提高非对称SMPDP的放电效率.

关键词：非对称荫罩式等离子体显示板、长路径放电、放电效率、流体模拟

所属期刊栏目：40

分类号：TN141.5(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60801002;国家高技术研究发展计划863计划资助项目2008AA03A308;国家自然科学基金资助项目60871015;高等学校学科创新引智计划111计划资助项目B07027

在线出版日期：2010-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：943-947