OH-在Si(100)面上的吸附与脱附作用机理

摘要：

利用高斯98中的Hartree-Fock(HF)方法研究了OH-与Si(100)面的吸附和脱附作用机理,计算了OH-在Si(100)面三种(顶位,桥位,穴位)典型吸附位的吸附反应势能曲线,在每个吸附位上根据空间位阻最小和最佳成键方向考虑了OH-垂直进攻和倾斜进攻.结果表明: OH-在进攻三种吸附位时的活化能为零,顶位倾斜吸附最稳定,穴位吸附最不稳定.在顶位倾斜吸附位上Si原子被OH-拉出的反应活化能为1.01 eV,整个吸附脱附过程的活化能为3.29 eV.

关键词：硅、腐蚀、吸附、势能曲线、Hartree-Fock

所属期刊栏目：37

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

在线出版日期：2007-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：141-143