纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟

摘要：

采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效应越弱,器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大.另外,通过分析器件不同区域的散射自能效应,得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径.所用模型具有概念清晰,求解稳定等特点.作为多体量子模型,本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件,并有望在纳米MOSFET器件设计中得以应用.

关键词：非平衡格林函数、双栅MOS、量子模型

所属期刊栏目：36

分类号：TP4

资助基金：国家自然科学基金60371037;20573019;90406023;90406024

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：917-919