利用TCAD方法优化设计金属栅CMOS工艺及电路

摘要：

为了降低集成电路制造工艺的成本,用计算机辅助工艺设计(TCAD)的方法开发了金属铝栅CMOS工艺.首先利用3 μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI进行了校准,再对金属铝栅1.5 μm短沟道 CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的模拟,以最简约工艺在现有工艺线上成功流水了1.5 μm铝栅CMOS.实际测试阈值电压为±0.6 V,击穿达到11 V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,并将工艺开发和电路设计结合起来,用电路的性能验证了工艺.利用TCAD方法已成为集成电路和分立器件设计和制造的重要方法.

关键词：计算机辅助工艺设计、工艺模拟、金属栅CMOS工艺

所属期刊栏目：36

分类号：TN710;TN432(基本电子电路)

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：512-516