不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究

摘要：

基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力.首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGBT器件的电-热性能,并通过实验平台验证所建模型的合理性;然后研究了3.3 kV/1 500 A多芯片压接型IGBT模块的电-热应力,并探究了不同封装压接型IGBT器件电-热应力存在差异的原因;最后比较了2种封装压接型IGBT器件内部的电-热应力随夹具压力和导通电流变化的规律.结果 表明银烧结封装降低了压接型IGBT器件的导通压降和结温,提升了器件散热能力;但银烧结封装也增大了IGBT芯片表面的机械应力,应力增大对IGBT器件疲劳失效的影响亟需实验验证.

关键词：压接型IGBT、全压接封装、银烧结封装、多物理场建模、电-热应力分析

所属期刊栏目：40

分类号：TM23;TN322+.8(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金智能电网联合基金资助项目;国家重点研发计划项目

在线出版日期：2020-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：76-81