MOSFET谐振门极驱动电路研究综述

摘要：

谐振门极驱动电路能够减小高频下MOSFET的驱动损耗.首先介绍了传统电压源驱动及其存在的诸多问题,引出谐振驱动技术.综述了目前现有的谐振门极驱动电路的拓扑结构,并分为电流源型、谐振型和耦合电感型三大类.对于电流源型和谐振型,分别介绍较早提出的拓扑结构及其优缺点,并与后期发展的各种拓扑作对比分析.耦合电感型是在电流源型或谐振型中加入耦合电感来传递能量,这也增加了拓扑的复杂度.考虑谐振门极驱动电路的复杂程度,将拓扑元器件集成到一个芯片中以达到优化.

关键词：高频变换器、MOSFET、栅极驱动、驱动损耗、谐振门极驱动

所属期刊栏目：38

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：光宝科技电力电子技术科研基金资助项目PRC20151384

在线出版日期：2018-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：66-73,107