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10.16081/j.issn.1006-6047.2017.03.028

计及MOSFET关断过程的LLC变换器死区时间选取及计算

引用
死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件.现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响,选取结果实用性较差.通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则,参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程.在此基础上,通过对MOSFET手册中数据的分析运用,精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值,最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法.该方法计算过程简单直观,实验结果亦验证了其正确性和有效性.

死区时间、LLC变换器、最恶劣工况、MOSFET、关断瞬态、零电压开通

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TM461(变压器、变流器及电抗器)

国家高技术研究发展计划863计划资助项目2015AA050603;the National High Technology Research and Development Program of China 863 Program2015AA050603

2017-04-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

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