基于电流源驱动的MOSFET管损耗模型及分析

摘要：

对于以电压源方式驱动功率MOSFET管,随着开关频率的提高,其开关损耗将显著增加.以此为切入点对电流源驱动功率MOSFET管进行了研究.在对电流源驱动MOSFET管原理性分析的基础上,通过详细地分析功率MOSFET管的开关过程,建立MOSFET管开关损耗模型,求解得到漏极电流、漏源电压与栅源电压之间关系,证明了电流源驱动在减少开关时间和开关损耗上的优越性.在开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压和电流分别为1.3 V和25 A的低压大电流实验平台上进行了验证,实验结果证明了所提出的MOSFET管损耗模型的正确性.

关键词：电流源驱动、MOSFET、损耗分析、Buck变换器、高频、低压大电流

所属期刊栏目：30

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50777001;安徽省自然科学基金重点项目KJ2010A342

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-53