基于IGBT串联运行的动态均压研究

摘要：

绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)串联运行易于实现IGBT的扩容,但同时也带来了不均压的问题.设计了以L,R为感性负载的实验电路,采用仿真软件PSpice仿真分析出IGBT串联运行时动态不均压原因是吸收电路参数不一致、门极驱动信号延时不同、门极驱动电路参数不一致引起的.并提出了IGBT串联运行动态均压措施(选同型号IGBT、吸收电路参数与结构一致、门极驱动信号同步、门极电路参数一致).

关键词：绝缘栅双极晶体管、串联、动态均压、吸收电路

所属期刊栏目：25

分类号：TN344(半导体技术)

资助基金：江苏省科技攻关项目BE2003043;江苏省高技术研究发展计划项目BG2004038

在线出版日期：2005-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23