基于PSPICE仿真的IGBT功耗计算

摘要：

结合无刷直流电机控制器的设计,提出了基于PSPICE仿真的绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)功率损耗的估算方法.建立了IGBT电路仿真模型,给出了IGBT功率损耗与开关频率和栅极电阻阻值之间关系的仿真结果.最后,给出了功率损耗的计算方法,对不同开关频率和不同栅极电阻时的功率损耗进行了定量计算.结果表明,增大开关频率和栅极电阻会使IGBT的功率损耗增加.

关键词：功耗、绝缘栅双极型晶体管、PSPICE仿真

所属期刊栏目：25

分类号：TP391.9;TN710.2(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：31-33