Se掺杂Cu2S、Cu2O的第一性原理研究

摘要：

Cu2S和Cu2O都属于直接带隙的p型半导体,由于适宜的带隙值(Cu2S～1.2 eV、Cu2O～2.2 eV),在太阳能电池电极材料中具有潜在的应用价值.然而,它们的载流子迁移率不高,能带结构还需进一步优化.对Cu2S、Cu2O两种物质进行Se掺杂的理论模拟研究,通过第一性原理计算其电子结构与光学性质.发现掺杂Se的Cu2S的带隙下降,原子间离子键变弱;掺杂Se的Cu2O的带隙增加,出现了自由电子,提升了载流子的迁移率;掺杂一定量Se的Cu2S和Cu2O的光吸收效率都得到了提升.

关键词：Cu2S;Cu2O;Se掺杂;第一性原理;电子结构;光学性质

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分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11564002

在线出版日期：2022-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：29-35