10.3969/j.issn.1672-2345.2006.12.021
Si亚微米MOSFET蒙特卡罗模拟中散射机制的研究
讨论了用蒙特卡罗法模拟半导Si内电子输运现象的散射机制,探讨并确定自由飞行时间的自散射方法,模拟电子在不同高场下的输运过程,并分析了速度过冲效应产生的原因.
Monte Carlo方法、自由飞行时间、散射机制、亚微米半导体器件
5
TM930.12+3;TN305
2007-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
48-51
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10.3969/j.issn.1672-2345.2006.12.021
Monte Carlo方法、自由飞行时间、散射机制、亚微米半导体器件
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TM930.12+3;TN305
2007-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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