应用于无线充电系统的SiC MOSFET关断特性分析

摘要：

SiC MOSFET的关断特性是无线充电系统传输效率和电应力研究的主要内容之一,对系统的安全、高效运行具有重要意义.首先,针对无线充电系统中考虑高次谐波的关断瞬态电流进行建模,并基于数据手册建立SiC MOSFET的关断能量损耗模型;其次,通过计算和仿真验证关断瞬态电流求解的正确性,探讨了关断瞬态电流、关断能量损耗与直流母线电压和输出功率的关系;最后,搭建1 kW LCC-S补偿的基于SiC MOSFET的无线充电系统进行实验验证,结果证明在全输出功率范围内,应用于无线充电系统的SiC MOSFET具有恒关断电流和恒关断损耗的特性.

关键词：SiC MOSFET;零电压开关;无线充电;关断瞬态电流;关断能量损耗;补偿网络

所属期刊栏目：45

资助基金：国家重点研发计划资助项目;国家自然科学基金资助项目;中国科学院战略性先导科技专项A类资助项目

在线出版日期：2021-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：150-157