IGBT并联时的发射极环流现象分析

摘要：

大功率电机做变频驱动设计时,为控制采购成本,大部分的设计方法是进行绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联使用,IGBT是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点,非常适合应用于直流电压为600 V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等领域.这里分析了 IGBT并联产生的发射极环流现象,并就发射极环流的大小控制和部分器件参数计算提出了解决方法.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、电力晶体管、发射极环流

所属期刊栏目：56

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2022-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-140