碳化硅MOSFET并联特性分析

摘要：

由于碳化硅器件的耐流限制,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在大功率应用领域通常需并联连接.然而,碳化硅MOSFET开关速度快,使之相比于硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对寄生参数更加敏感,在并联连接时尤其是动态过程中实现均流也成为更大的挑战.器件并联工作中,由于不均流造成的高电流过冲和高损耗可能造成器件损坏.此处介绍了一种自建器件模型,并基于该模型进行器件并联的仿真.互感在电路分析中,通常会被忽略,通过实验和仿真的对比,论证了互感会对均流效果产生重要影响.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管、器件模型、并联、互感

所属期刊栏目：56

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2022-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-140