基于门极电压调制的大功率IGBT过压尖峰抑制

摘要：

随着现代电力电子技术的不断发展,功率半导体器件的开关速度和功率等级都在进一步提高,其开关电压尖峰成为功率器件在发展过程中必须解决的问题.此处提出一种脉宽调制(PWM)脉冲预调制技术,在驱动电路中增加数字控制模块,根据负载电流的变化及时改变PWM策略,有效抑制关断电压尖峰,使驱动电路更具有通用性.通过实验验证该方法的可行性和实用性.

关键词：绝缘栅双极型晶体管;脉宽调制;关断电压尖峰

所属期刊栏目：55

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFC0600804

在线出版日期：2021-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-140