基于Buck电路的SiC SBD模型

摘要：

此处提出了一种用于电路仿真的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)模型,并且详细提取了模型参数.该模型精确考虑了二极管的反向I-U特性,并且简化了电阻温控模型.模型中的电压控制电流源被分为两个电流源,正向偏置电流源和反向偏置电流源.所提出模型的参数均从数据表中提取.PSpice电路仿真软件已经实现了提出的新模型.与传统的PSpice仿真模型相比,该新模型的准确性更高.同时,此处建立了一个降压变换器来比较SiC SBD和硅(Si)二极管的性能.

关键词：二极管;正向偏置电流源;反向偏置电流源

所属期刊栏目：55

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2021-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：153-156