GaN器件在高频谐振变换器上的应用研究

摘要：

提高变换器开关频率能有效提高功率密度,但开关及驱动损耗也会相应增加.氮化镓(GaN)器件具有导通电阻低、寄生电容小等特点,更适合高频应用.这里研究增强型GaN高电子迁移率晶体管(eGaN HEMT)在高频Boost谐振变换器中的应用和实现,针对由寄生电感引起的驱动电压振荡,给出可抑制振荡驱动电阻的选取准则.10 MHz谐振变换器样机实验表明,按此准则设计的电路可正常、有效运行.相比于采用Si MOSFET,采用eGaN HEMT后变换器效率有所提高.

关键词：谐振变换器、高频、驱动电压振荡

所属期刊栏目：54

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

在线出版日期：2020-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：134-137