T型三电平IGBT驱动的优化设计与测试

摘要：

针对所研制的T型三电平绝缘栅双极型晶闸管(IGBT)驱动装置,研究了门极驱动电阻的计算、模块寄生参数的测算及寄生参数对测试结果的影响,进一步研究了双脉冲测试中尖峰电压不对称的原因并提出解决途径.在双脉冲测试平台上,通过测试IGBT模块接线端子间的电压及流过它们的电流在第二个脉冲关断时刻的波形,利用测定的电压峰值和电流变化率,计算出IGBT模块内部寄生的杂散电感大小.结果 表明,双脉冲测试中尖峰电压不对称的现象是由IGBT模块内部引线造成的杂散电感严重不对称造成的.此处介绍的测试方法为检测驱动装置、调整驱动参数和优化测试结果提供了良好的依据.

关键词：绝缘栅双极型晶闸管、门极电阻、尖峰电压

所属期刊栏目：54

分类号：TN34(半导体技术)

在线出版日期：2020-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：130-133,137