IGBT全桥穿通特性及退化分析

摘要：

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在桥式电路中的穿通现象会使得同一桥臂的两个IGBT同时导通,发生短路烧毁.利用Simulink软件对IGBT电路进行仿真分析,通过实验电路对IGBT实际工作进行测试及比较,探讨了母线电压、栅极电阻、栅-射极间并联电容对IGBT感应栅压的影响;并对桥式结构中IGBT各电参数的退化情况进行详细地分析,可得:母线电压对感应栅压的大小基本无影响;栅极电阻与感应栅压呈正相关;栅-射极间并联电容越大,感应栅压越小;集电极漏电流和通态电阻退化明显.并根据分析讨论结果,给出优化方案,对提高桥式结构中IGBT的可靠性有着重要意义.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、穿通特性、退化

所属期刊栏目：54

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2020-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：117-120