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抑制GaN变换器振铃的高频驱动电路设计

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针对氮化镓(GaN)功率器件在高频应用中因寄生参数带来的输出电压振铃问题,这里研究了驱动电路寄生参数和栅极驱动阻抗匹配影响GaN变换器振荡的机理.从驱动电路优化设计出发,提出了抑制开关器件电压振铃的解决办法.仿真和实验结果验证了所提方法的有效性.

氮化镓功率器件、高频驱动、电压振铃

53

TN624(电子元件、组件)

陕西省基础研究计划2018JQ5187;陕西省重点研发计划国际科技合作计划2017KW-ZD-05

2019-07-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

125-127,133

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