RC缓冲电路对GaN E-HEMTs开关电压振荡影响分析

摘要：

相对于传统硅(Si)器件,氮化镓(GaN)功率器件有着更优越的性能,包括更高的开关频率和功率密度及更低的开关损耗等特点.由于高速的开关特性,器件的寄生电容与线路中的寄生电感会发生谐振,从而导致器件两端电压发生过冲和振荡的现象.此处利用一种双脉冲测试电路,对GaN器件的开关过程进行建模分析,设计合理的缓冲电路有效抑制电压过冲和振荡的问题.最后利用GS66504B GaN E-高电子迁移晶体管(HEMTs)评估板,对缓冲电路设计参数进行实验研究并修正,实验结果验证了缓冲电路方案的有效性.

关键词：功率器件、双脉冲测试电路、缓冲电路

所属期刊栏目：52

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：安徽省工业节电与电能质量控制协同创新中心开放基金;河北省引进留学人员项目

在线出版日期：2018-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-23