功率MOSFET器件安全工作区的研究

摘要：

功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区.为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析模型,综合考虑了电流温度系数、热阻等因素,分析解释热不稳定产生条件,通过与实验数据的对比,证明了模型的正确性,得到了更符合实际的安全工作区.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管、热不稳定、安全工作区

所属期刊栏目：52

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2018-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：70-72