IGBT封装中几种局部过热问题的预防
为提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件在封装中的可靠性,研究了IGBT封装中容易引起局部过热的几种常见现象,提出了优化设计方法和研究分析.结果表明,适当的热设计对IGBT封装中可靠性有较大帮助.
绝缘栅双极型晶体管、局部过热、封装
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TN32(半导体技术)
2018-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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绝缘栅双极型晶体管、局部过热、封装
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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