压接型IGBT器件绝缘研究:问题与方法

摘要：

按绝缘失效模式,将压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的绝缘问题分为漏电和放电问题.借鉴电力电子学科研究范式,提出从绝缘测试、物理分析和可靠设计3个维度进行压接型IGBT器件绝缘研究的方法.同时,分别从这3个维度对压接型IGBT器件绝缘研究现状进行分析.最后,根据绝缘测试要求和物理分析参数,给出压接型IGBT器件绝缘优值,为压接型IGBT器件绝缘可靠设计提供了量化指标.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、压接型、绝缘、漏电、放电

所属期刊栏目：52

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金U1766219;中央高校基本科研业务费专项资金2017XS027 Supported by National Natural Science Foundation of China-State Grid Corporation Joint Fund for Smart GridU1766219;Fundamental Research Funds for the Central Universities2017XS027

在线出版日期：2018-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-40,62