计及杂散电感的多芯片IGBT模块损耗计算

摘要：

针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块封装杂散参数影响内部多芯片并联电流和损耗分布的问题,提出计及杂散电感影响的IGBT模块内部开关损耗计算方法.首先,基于功率模块内部封装结构建立了计及封装杂散电感影响的IGBT等效电路模型,理论推导和分析封装杂散电感对IGBT动态特性的影响.其次,基于开通折线模型中并联芯片间电流变化率与损耗分布对应关系,理论推导了杂散电感分布参数与各支路开通损耗所占比例之间的函数关系,提出计及杂散电感影响的IGBT模块内部开关损耗计算方法.最后,仿真并实验验证了开通过程中IGBT模块内部电流分布规律,测得在不同负载条件下IGBT模块下桥臂各支路损耗并与理论计算结果进行了比较,验证了所提损耗计算方法的有效性.结果表明,IGBT模块下桥臂各并联芯片开通过程中存在明显不均流现象,导致损耗分布存在差异.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、杂散电感、损耗

所属期刊栏目：52

分类号：TM32(电机)

资助基金：国家重点研发计划2016YFB0901800;国家自然基金51675354,51761135014 Supported by National Key Research and Development Program of China2016YFB0901800;National Natural Science Foundation of China51675354,51761135014

在线出版日期：2018-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：26-30