基于极低寄生参数SiC模块的传导EMI噪声抑制
为减小碳化硅(SiC)器件的高频电磁干扰(EMI),提出一种具有低寄生电感和对地电容的混合封装结构SiC功率模块来抑制传导EMI.构建了两个具有同样功率回路和驱动电路的Buck变换器进行实验验证.两个变换器分别采用所提功率模块和TO-247封装的商用器件.实验证明低寄生电感可大幅增加开关速率但对EMI影响甚微;而低对地电容能有效减小地面电流.考虑到软开关也能减小EMI,在此进一步对比两个变换器在两种工况下的EMI噪声,证明所提结构功率模块在两种工况下均可有效抑制共模噪声.
器件、碳化硅、功率模块、电磁干扰
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TN303(半导体技术)
2018-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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