高频SiC单相逆变器调制策略研究
逆变器高频运行时,开关损耗和死区影响问题更加突出.如何减小高频开关损耗,同时消除死区的影响是逆变器高频运行需要解决的关键问题.以高频SiC单相逆变器为研究对象,针对传统双极性调制存在的问题,设计了一种改进调制策略,利用SiC开关器件反并联二极管的续流特性,在半个工频周期内将2个开关一直处于关闭状态,不仅减小了高频开关损耗,而且避免了桥臂直通的风险,无需加入死区,消除了死区引起的负面影响,最后搭建了高频SiC逆变器进行了实验研究,结果验证了设计方案的有效性.
逆变器、调制策略、高频开关
51
TM464(变压器、变流器及电抗器)
National Natural Science Foundation of China51477148;Hebei Province Introduced the Study Abroad Personnel Subsidy ProgramCL201622;国家自然科学基金51477148;河北省引进留学人员资助项目CL201622
2018-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
23-25