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GaN器件高频精确测试及开关特性对比研究

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对高频工况下氮化镓(GaN)器件的开关特性精确测量进行了研究,基于市面上两种不同类型的GaN器件,对其开关特性进行对比测试,分析高频工况下不同类型GaN器件的优势.首先,分析不同测量方式对电流测量波形的影响,选择适用于高频工况下的电流测量方式;其次,对高频驱动回路进行优化布局,减小寄生电感,使得开关特性测量结果更为精确;最后,基于双脉冲测试平台,分别对共源共栅(Cascode)型和单体增强(E-Mode)型两类GaN器件进行开关特性测试,明确各自特性优势和应用场合.

GaN器件、高频精确测量、开关特性

51

TP21(自动化技术及设备)

National Key R & D Program of China2017YFB0402904;国家重点研发计划2017YFB0402904

2018-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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