增强型GaN功率器件及集成技术

摘要：

针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2V以上、击穿电压1 200V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1V、击穿电压350 V以上、输出电流10 A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件.同时基于栅区域势垒层减薄技术,开发了GaN增强型/耗尽型(E/D)集成技术,并展示了采用E/D集成技术研制的51级GaN环形振荡器验证电路,集成了106只晶体管,级延时仅24.3 ps.

关键词：功率器件、氮化镓、增强型、集成技术

所属期刊栏目：51

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：National Natural Science Foundation of China61474101;National High Technology Research and Development Program of China 863 No.2015AA033305国家自然科学基金61474101;国家高技术研究发展计划8632015AA033305

在线出版日期：2017-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：58-60