牵引用3300V/500A SiC混合模块研制

摘要：

基于自主绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),研制3 300 V/500 A SiC混合模块,完成模块的性能测试及热阻测试,并与Si IGBT模块进行对比.二极管热阻较Si IGBT模块显著降低,增大模块额定电流能力.SiC混合模块反向恢复能量几乎可忽略,减少模块工作过程中对IGBT芯片的电流和电压过冲,利于模块的长期可靠性.利用PLECS仿真得到脉宽调制(PWM)工况下芯片最高结温,SiC混合模块低于IGBT模块.3 300 V/500 A SiC混合模块的研制成功,对SiC材料在机车牵引领域的应用具有推动作用.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、碳化硅、混合模块、牵引

所属期刊栏目：51

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2017-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：4-7