10.3969/j.issn.1000-100X.2014.05.011
三相逆变器共模干扰分析及抑制技术研究
在脉宽调制(PWM)逆变器系统中,IGBT的高速开关动作会产生很高的电压、电流变化率,从而引起严重的共模电磁干扰(CM-EMI),影响系统的可靠运行.此处介绍了三相逆变器供电时产生的共模电压,分析了其产生机理及负面效应.通过对4种典型CM-EMI抑制技术的详细介绍,揭示了各种方法的优缺点,为工程实践抑制CM-EMI提供了指导性建议.
逆变器、共模电磁干扰、抑制技术
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TM464(变压器、变流器及电抗器)
2014-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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