低成本高可靠性0.5μm700V超高压BCD工艺

摘要：

低成本高可靠性超高压双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺技术是功率器件的发展方向.提出了一种利用非外延技术开发出的超高压BCD工艺,仅用14层光刻就能支持1P2M.该工艺平台包含7.5 V/40 V/200 V/700 V以及结型场效应管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)等器件,甚至可实现耐压为1 kV的nLDMOS器件.其中关键器件700 V nLDMOS可向用户提供不同尺寸的器件,非隔离(Non_ISO)和隔离(ISO)类型器件的比导通电阻分别为11.3 Ω·mm2,11.1 Ω·mm2,且该器件具有更高的可靠性.同时,该平台已用于量产,工艺十分稳定.

关键词：器件、低成本、比导通电阻、高可靠性

所属期刊栏目：47

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2014-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-23