具有埋界面漏的Trench功率MOSFET研究

摘要：

研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET).利用埋于整个界面的漏n+层缩短开态时载流子在高电阻率n-漂移区的运动路径,从而降低器件比导通电阻,缓解功率MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛盾.详细研究了器件结构参数对比导通电阻和击穿电压的影响.器件1为50～70 V级器件;器件2利用p型硅条增强降低表面电场(RESURF)效应及优化体内电场分布,使得器件性能进一步提高,在133 V的击穿电压时获得0.85 mΩ· cm2的低比导通电阻.

关键词：金属氧化层半导体场效晶体管、击穿电压、比导通电阻

所属期刊栏目：47

分类号：TM43(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：Natural Science Foundation Project of CQ CSTCcstcjjA40008;China Postdoctoral Science Special Foundation2013T60835;重庆市自然科学基金cstcjjA40008;中国博士后科学基金特别资助2013T60835

在线出版日期：2014-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：3-4,7