晶闸管di/dt失效分析

摘要：

分析了晶闸管通态电流临界上升率(di/dt)的承受能力和损坏机理;给出了防止晶闸管di/dt失效的措施.结合晶闸管在电力机车变流装置上的运行情况,分析了晶闸管di/dt损坏的原因.结果表明,晶闸管的损坏与所加门极触发脉冲的宽度和频率等有关.

关键词：电力电子器件、晶闸管、电流上升率、失效分析

所属期刊栏目：41

分类号：TN31/387(半导体技术)

在线出版日期：2008-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：129-130