IGBT的死区补偿方法研究

摘要：

对三相桥式逆变器死区效应进行了理论分析.阐述了死区效应对逆变器输出电压的影响.介绍了加入一种死区时间的方法,在此基础上提出了一种基于SVPWM控制的逆变器死区补偿方法,即对称补偿法.该方法有效地改善了死区效应引起的电流畸变,实验结果证明了理论分析的正确性和该方法的可行性和有效性,并成功用于变频器的设计中.

关键词：电力半导体器件、死区、补偿、脉宽调制

所属期刊栏目：41

分类号：TN31/387(半导体技术)

在线出版日期：2008-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：126-128