10.3969/j.issn.1000-100X.2007.12.026
砷化镓二极管在单相功率因数校正中的应用
提出了采用砷化镓(GaAs)肖特基二极管(SD)作为CCM Boost型APFC的续流二极管(Flywheel Diode,简称FD),以改善变换器性能.制作了采用GaAs肖特基二极管(简称GaAs-SD)和Si快恢复二极管(Si Fast Recovery Diode,简称Si-FRD)的样机,并对其反向恢复电流、效率、功率因数(PF)和EMI等特性进行了对照测试.结果表明,GaAs-SD能有效改善变换器的性能.
功率因数、二极管、电磁兼容性
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TM714.3;TN31/387(输配电工程、电力网及电力系统)
2008-04-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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