体特性高压硅整流元件设计制造的关键技术

摘要：

具有雪崩体特性击穿的高温高压大功率整流元件的设计和制造需要采用中子辐照单晶,并结合不同的结片结构选择不同的基区利用系数η.针对P+-P-N-N+型和P+-I-N+型结构设计改进扩散方法,选择合适的表面造型,并采用表面保护复合结构可以获得耐压温度特性优良的体特性器件.

关键词：中子照射、整流元件/体特性

所属期刊栏目：37

分类号：TN35(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：66-69