10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2021.02.018
非故意发射超高次谐波发生机理及影响因素分析
随着接入电网的半导体器件开关频率的提高,换流器注入电网的谐波向着高频化方向延伸.超高次谐波是配电网电力电子化必然带来的电能质量新问题之一.本文针对非故意发射超高次谐波,从PWM脉宽调制的原理出发,分析了非故意发射超高次谐波产生原因及频率分布特征,并给出了一种能够反映超高次谐波典型特征的优选聚合频带方法,进一步分析了不同因素对超高次谐波发射的影响,为超高次谐波的检测与识别、相关标准的制定以及治理方法提供理论依据.
超高次谐波、非故意发射、分布特征、影响、优选聚合频带
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2021-05-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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