非故意发射超高次谐波发生机理及影响因素分析
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2021.02.018

非故意发射超高次谐波发生机理及影响因素分析

引用
随着接入电网的半导体器件开关频率的提高,换流器注入电网的谐波向着高频化方向延伸.超高次谐波是配电网电力电子化必然带来的电能质量新问题之一.本文针对非故意发射超高次谐波,从PWM脉宽调制的原理出发,分析了非故意发射超高次谐波产生原因及频率分布特征,并给出了一种能够反映超高次谐波典型特征的优选聚合频带方法,进一步分析了不同因素对超高次谐波发射的影响,为超高次谐波的检测与识别、相关标准的制定以及治理方法提供理论依据.

超高次谐波、非故意发射、分布特征、影响、优选聚合频带

42

2021-05-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

103-109

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电力电容器与无功补偿

1674-1757

61-1468/TM

42

2021,42(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn