基于场路耦合的磁阀式可控电抗器损耗特性分析

摘要：

磁阀式可控电抗器(MCR)因磁阀处铁芯截面积减小而导致局部磁密增大,加之MCR铁芯常工作于饱和状态,因此其损耗较常规的变压器、电抗器大得多.这些损耗引起局部温升过高,影响MCR的正常运行甚至造成过热损坏.不同的磁阀结构对MCR的漏磁、损耗的影响难以通过其等效模型反映,需要采用场路耦合的方法建立电-磁-热多物理场模型进行分析.本文针对集中式、两侧分布式和均匀分布式3种不同磁阀结构的MCR在有限元仿真软件中建立模型研究其损耗特性.此外,考虑到均匀分布式磁阀在实际加工中往往由硅钢片与磁阻材料堆叠而成,对不理想的工艺条件导致的磁阀的不规则分布及其损耗特性进行了分析.仿真结果表明,理想情况下均匀分布式磁阀结构的MCR漏磁最小,损耗最低;不规则分布磁阀会引起局部损耗过高.最后,分析了均匀分布式磁阀结构MCR的温度场分布,为其实际运维中的温度检测提供理论指导.

关键词：分布式磁阀、损耗、场路耦合

所属期刊栏目：40

在线出版日期：2019-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：64-69,78