CMOS集成电路抗辐射加固工艺技术研究
对现阶段的集成电路芯片制造进行分析,会发现占据主导地位的工艺技术是体硅CMOS半导体工艺技术,分析此种技术的利用要点,明确其技术应用中需要重点关注的内容有突出的现实价值.就现阶段掌握的资料来看,CMOS集成电路在具体利用的过程中会因为辐射出现各种问题,这些问题会导致设备运行或者是状态的异常,因此需要对相关问题进行解决.总的来讲,为了有效解决辐射所引发的问题,在进行CMOS集成电路制作的过程中对其进行加固有突出的现实价值,因此本文分析CMOS集成电路抗辐射加固技术,旨在为现实工作开展提供指导和帮助.
CMOS集成电路、抗辐射、加固工艺技术
TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2020-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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