半导体芯片中等离子损伤解决对策
本文采用关闭通孔过蚀刻过程中的磁场和减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率的两种方式,有效地降低了芯片所受到的损伤.利用对这两处工艺的优化,使PID变得可控,有效保证了芯片量产的质量.
蚀刻、等离子体淀积、PID
TN405(微电子学、集成电路(IC))
2016-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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蚀刻、等离子体淀积、PID
TN405(微电子学、集成电路(IC))
2016-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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