IGBT开关机理对逆变器死区时间的影响

摘要：

为了研究逆变器中功率器件对死区时间设置的影响,依据半导体物理理论与死区时间的计算依据,研究了电压、电流、温度对绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)开关时间的影响机理,给出了这3个因素对IGBT开关时间的影响规律,并得到了这3个因素对死区时间的影响机理.通过对两电平半桥逆变单元测试表明:死区时间随电压的增大近似呈线性关系增大,随电流的增大近似呈指数和双曲线复合关系而减小,随温度的增大近似呈线性关系增大,且按照计算依据得到的死区时间与实测桥路直通的发生相符,验证了理论分析的正确性.得出的结论可为实际应用中逆变器等电能变化装置死区时间的设置以及死区补偿算法的优化提供重要的参考依据.

关键词：逆变器、绝缘栅双极型晶体管、死区时间、开通延时、关断时间、桥路直通

所属期刊栏目：18

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金重点项目50737004;国家自然科学基金51277178;国家重点基础研究发展计划973项目2013CB035601

在线出版日期：2014-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：62-68,75