10.3969/j.issn.1006-2807.2022.03.008
并联SiC MOSFET的均温设计
为了解决SiC MOSFET并联产生的不均流问题,降低并联器件的温度差异性对均流的影响,通过采用均温板的方案,减小了并联器件的温度差异性.当采用0.5 mm的均温板后,通过试验得到的并联器件之间的最大温差仅为1.83 K,验证了该均温方案的有效性.
SiC MOSFET、并联、均流、均温
TM359(电机)
2023-01-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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