脉冲放电和高能球磨组合制备纳米硅颗粒的储锂性能研究

摘要：

按照一种高质高效、自上而下的纳米硅制备方法,以P型重掺杂晶体硅和N型重掺杂晶体硅为原料,探究不同重掺杂类型对电化学性能的影响.采用脉冲放电和高能球磨组合法制备纳米硅颗粒,获得平均粒径(D50)约为100 nm且尺寸分布均匀的硅颗粒.结果表明:P型重掺杂纳米硅的首次充电比容量为1646.5 mAh/g、库伦效率为65.92 %,经过50圈循环,其可逆比容量保持为1353.7 mAh/g;N型重掺杂纳米硅的首次充电比容量为1730.7 mAh/g、库伦效率为66.04%,经50圈循环,其可逆比容量保持为1400.1 mAh/g.

关键词：纳米硅、脉冲放电、高能球磨、重掺杂

分类号：TG662

资助基金：国家自然科学基金资助项目51675275

在线出版日期：2018-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：27-32,53