金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究

摘要：

采用负胶光刻工艺制备了微坑阵列胶模，通过实验分析了抛光工艺对刻蚀均匀性的影响，解决了微坑阵列刻蚀缺陷的问题。研究了酸洗对基板刻蚀的影响，得出酸洗可改善刻蚀均匀性的结论，并通过调节溶液pH值的方法解决了溶液沉淀的问题。分析了掩膜孔径对刻蚀均匀性的影响，并利用自行搭建的电化学刻蚀装置完成了直径60μm、深11μm的微坑阵列刻蚀。实验结果验证了掩膜电化学刻蚀工艺的可行性，为金属表面微小图形的制作提供了一种可行的方案。

关键词：UV-LIGA、微坑阵列、电化学刻蚀、酸洗

分类号：TG662

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划资助项目2012AA040406；国家自然科学基金资助项目51375077

在线出版日期：2015-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：29-32,37