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10.3969/j.issn.1009-279X.2015.02.002

场致射流微细放电加工实验研究

引用
对场致射流微细放电加工单晶硅进行了工艺实验研究,分析在不同加工极性下的加工机理,发现在正极性加工时,蚀坑在工件表面存在电解液残留是由电火花蚀除和电化学蚀除共同作用的结果,而在充分放电的情形下,是由电火花放电来实现材料蚀除的;在负极性加工时,蚀坑仅仅是由电火花蚀除作用的结果。通过单因素实验获取喷管内径、极间距离、极间电压及工作液浓度对单次放电蚀坑直径的影响曲线,通过优化工艺参数在单晶硅表面加工出宽度为1μm、长度为5μm的微细沟槽。研究结果充分证明了场致射流微细放电加工的加工能力。

场致射流、微细放电加工、单晶硅

TG661

国家自然科学基金资助项目51175336

2015-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

4-7

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