10.3969/j.issn.1009-279X.2014.05.005
基于光致抗蚀干膜的掩膜制备及其应用研究
在传统工艺流程中,必须先将干膜贴于工件表面,然后进行光刻,但干膜不可重复使用。现提出一种新型干膜光刻工艺流程,在干膜贴于工件表面之前,先对干膜单独进行光刻试验研究。基于该新型工艺流程,研究了杜邦干膜GPM220的曝光及显影特性。经过对曝光量(曝光时间)及显影时间的参数优化,最终在干膜上获得了平均直径为99.7μm的通孔阵列,并将其作为掩膜应用于微细电解加工,通过选择合理的加工参数,在工件表面获得了平均直径为125μm、平均深度为10μm的微坑阵列。电解实验后的干膜易与工件分离,可实现重复使用,提高了干膜的利用率。
光致抗蚀剂(干膜)、曝光、显影、掩膜电解
TG662
广东联合基金重点项目U1134003;航空科学基金资助项目2012ZE52068
2014-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
24-27,40